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IC芯片行业中温度冲击试验箱的介绍

作者:salmon范编辑:瑞凯仪器来源:www.riukai.com发布时间:2020-11-02 08:55:00

在IC芯片行业,温度冲击试验是评估IC产品中具有不同热膨胀系数的金属之间的界面的接触良率。方法是通过循环流动的液体从高温到低温重复变化。在快速温度变化的过程中(比如日夜温差,突然下雨,四季变化等),芯片会出现热疲劳而失效,其能快速验证芯片封装材料、制程工艺等瑕疵。常见失效模式是芯片分层,焊球断裂,引脚疲劳拉断等。

IC芯片行业中温度冲击试验箱的介绍

温度循环(TC)试验在JEDEC标准里可是一个必做项,常做测试条件为B和C,瑞凯RK-TS3-100均可轻松满足这些条件。
三箱式温度冲击试验箱相对于两箱提篮式的特点就是样品放在中间的腔室中不动,高温气体在上面一个腔室中,低温在下面腔室中。当要进行高温冲击时,机器会打开上面的阀门把预热好的气体灌入中间腔体。同样,要进行低温冲击时则会打开下面的阀门把低温气体引入中间腔体。整个高低温循环的过程中,样品在中间腔室是不动的,对温度的冲击没有两箱式来的猛烈,换句话说就是温度冲击相对比较温柔。
测试条件:
Condition B:- 55℃ to 125℃
Condition C:- 65℃to 150℃
失效机制:电介质的断裂,材料的老化(如bond wires),导体机械变形
具体的测试条件和估算结果可参考以下标准:
MIT-STD-883E Method 1011.9
JESD22-B106
EIAJED-4701-B-141

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