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IC芯片等产品高温测试失效原因分析
该产品的高温失效问题,与COB各材料都有着密切的关系: PCB、IC、邦定线、黑胶。但最主要的原因是在IC质量有缺陷的前提下,由于黑胶、邦定线、PCB各部分的热膨胀系数(CTE),在高温条件下,黑胶可能拉动邦定线,导致接触不良使得IC功能丧失。
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半导体高温储存试验测试标准
国际标准分类中,半导体高温储存试验涉及到半导体分立器件。在中国标准分类中,半导体高温储存试验涉及到半导体分立器件综合、电力半导体器件、部件。国际电工委员会,关于半导体 高温储存试验的标准
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LED灯温度循环试验测试方法
温度循环试验应按照 GB/T 2423.22-2012 的试验 Nb: “规定变化速率的温度变化”和下述规定 进行。 试验应在满足 GB/T 2424.5—2006 要求的试验箱内进行。试验温度见表 1,温度容差为士2 K。
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关于盗用我司公司名、品牌名进行误导性宣传的郑重声明
近期,我司发现有同行企业盗用我司名称进行误导性宣传,该行为已经严重误导了消费者,并严重损害了我司的利益和名誉。我司对该单位的行为感到遗憾,并郑重告知:请存在上述问题的单位自本公告之日起,立即停止此类宣传,停止侵权。我司将通过包括但不限于移送相关行政机关、向法院提起诉讼等法律途径维护合法权益,届时所有法律后果将由该单位承担。

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IC芯片等产品高温测试失效原因分析
该产品的高温失效问题,与COB各材料都有着密切的关系: PCB、IC、邦定线、黑胶。但最主要的原因是在IC质量有缺陷的前提下,由于黑胶、邦定线、PCB各部分的热膨胀系数(CTE),在高温条件下,黑胶可能拉动邦定线,导致接触不良使得IC功能丧失。

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半导体高温储存试验测试标准
国际标准分类中,半导体高温储存试验涉及到半导体分立器件。在中国标准分类中,半导体高温储存试验涉及到半导体分立器件综合、电力半导体器件、部件。国际电工委员会,关于半导体 高温储存试验的标准

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LED灯温度循环试验测试方法
温度循环试验应按照 GB/T 2423.22-2012 的试验 Nb: “规定变化速率的温度变化”和下述规定 进行。 试验应在满足 GB/T 2424.5—2006 要求的试验箱内进行。试验温度见表 1,温度容差为士2 K。

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关于盗用我司公司名、品牌名进行误导性宣传的郑重声明
近期,我司发现有同行企业盗用我司名称进行误导性宣传,该行为已经严重误导了消费者,并严重损害了我司的利益和名誉。我司对该单位的行为感到遗憾,并郑重告知:请存在上述问题的单位自本公告之日起,立即停止此类宣传,停止侵权。我司将通过包括但不限于移送相关行政机关、向法院提起诉讼等法律途径维护合法权益,届时所有法律后果将由该单位承担。








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